A nitride-based semiconductor light-emitting device includes a GaN-based
substrate and a semiconductor stacked-layer structure including a
plurality of nitride-based semiconductor layers grown on the GaN-based
substrate by vapor deposition. The GaN-based substrate has an interface
region contacting the semiconductor stacked-layer structure and the
interface region contains oxygen atoms of concentration n in the range of
2.times.10.sup.16.ltoreq.n.ltoreq.10.sup.22 cm.sup.-3.
Een op nitride-gebaseerd halfgeleider lichtgevend apparaat omvat een op gaN-Gebaseerd substraat en een structuur van de halfgeleider stapelen-laag met inbegrip van een meerderheid van op nitride-gebaseerde halfgeleiderlagen die op het op gaN-Gebaseerde substraat door dampdeposito worden gekweekt. Het op gaN-Gebaseerde substraat heeft een interfacegebied dat de structuur contacteert van de halfgeleider stapelen-laag en het interfacegebied bevat zuurstofatomen van concentratie n in de waaier van 2.times.10.sup.16.ltoreq.n.ltoreq.10.sup.22 cm.sup.-3.
