There is disclosed an exposure control method in a lithography system
having a resist coating and developing apparatus, a wafer transferring
mechanism and an exposure control apparatus. The exposure control method
in the lithography system includes the steps of transmitting data of
temperature for heat-treating a resist film in the resist coating and
developing apparatus to the exposure control apparatus; determining and
controlling exposure time based on the temperature data; and exposing the
resist film on a wafer which is moved or transferred by the wafer
transferring mechanism during the determined exposure time.
Показано методу управлением выдержки в системе литографированием имея сопротивлять покрыть и развивая прибор, передаточныйа механизм вафли и прибор управлением выдержки. Метод управлением выдержки в системе литографированием вклюает шаги передавая данных температуры для жар-obrabatyvat6 пленку сопротивлять в сопротивлять покрывая и превращаясь приборы к выдержке контролируют прибор; обусловливая и контролируя выдержка основанная на данных по температуры; и подвергающ действию пленка сопротивлять на вафле двинута или перенесена передаточныйа механизм вафли во время determined выдержки.
