The invention concerns an active TFT matrix for optical sensor comprising a
substrate, a TFT transistor matrix formed on said substrate, a set of
transistor control lines (3): a conductor level (4) according to a
specific pattern forming an electrode array (5), each electrode (5)
defining a zone called pixel: a set of columns (10) for load transfer
between the electrodes (5) and an external electronics. The pixel
electrode (5) is located entirely inside an outline delimited by two lines
(3) and two successive columns (10), a protective gap (g1, g2) being
provided between the inside edge of said outline and the periphery of the
pixel (5) such that the pixel electrode (5) does not cover either the
lines (3) or the columns (10).
Вымысел относится активно матрица TFT для оптически датчика состоя из субстрата, матрицы сформированной на сказанном субстрате, комплекта транзистора TFT линий управлением транзистора (3): уровень проводника (4) согласно специфически картине формируя блок электрода (5), каждый электрод (5) определяя зону вызвал пиксел: комплект колонок (10) для перехода нагрузки между электродами (5) и внешней электроникой. Электрод пиксела (5) устроен вс внутри плана размежеванного 2 линиями (3) и 2 последовательными колонками (10), защитным зазором (g1, g2) будучи обеспечиванным между внутренним краем сказанного плана и периферией пиксела (5) такие что электрод пиксела (5) не покрывает или линии (3) или колонки (10).
