In a halftone phase shifting photomask 108, having a pattern of halftone
phase shifting film 102 containing at least chromium and fluorine, the
halftone phase shifting film is heat-treated at a temperature between
250.degree. C. and 500.degree. C. so that a change of the optical property
of the film produced by the application of excimer laser for exposure to
the film is decreased.
В photomask 108 halftone участка перенося, имеющ картину пленки 102 halftone участка перенося содержа по крайней мере хромий и фтор, пленка halftone участка перенося heat-treated на температуре между 250.degree. C и 500.degree. C так, что будет уменьшито изменение оптически свойства пленки произведенной применением лазера excimer для подвержения к пленке.
