Semiconductor capacitor structure and method to form same

   
   

A semiconductor capacitor structure comprising sidewalls of conductive hemispherical grained material, a base of metal silicide material, and a metal nitride material overlying the conductive hemispherical grained material and the metal silicide material. The semiconductor capacitor structure is fabricated by forming a base of metal silicide material along the sidewalls of an insulative material having an opening therein, forming sidewalls of conductive hemispherical grained material on the metal silicide material, and forming a metal nitride material overlying the conductive hemispherical grained material and the metal silicide material.

Une structure de condensateur de semi-conducteur comportant des parois latérales du matériel granuleux hémisphérique conducteur, d'une base de matériel de siliciure en métal, et d'une nitrure en métal matérielle recouvrant le matériel granuleux hémisphérique conducteur et le matériel de siliciure en métal. La structure de condensateur de semi-conducteur est fabriquée en formant une base de matériel de siliciure en métal le long des parois latérales d'un matériel insulative ayant une ouverture là-dedans, formant des parois latérales de matériel granuleux hémisphérique conducteur sur le matériel de siliciure en métal, et formant une nitrure en métal matérielle recouvrant le matériel granuleux hémisphérique conducteur et le matériel de siliciure en métal.

 
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