A semiconductor capacitor structure comprising sidewalls of conductive
hemispherical grained material, a base of metal silicide material, and a
metal nitride material overlying the conductive hemispherical grained
material and the metal silicide material. The semiconductor capacitor
structure is fabricated by forming a base of metal silicide material along
the sidewalls of an insulative material having an opening therein, forming
sidewalls of conductive hemispherical grained material on the metal
silicide material, and forming a metal nitride material overlying the
conductive hemispherical grained material and the metal silicide material.
Une structure de condensateur de semi-conducteur comportant des parois latérales du matériel granuleux hémisphérique conducteur, d'une base de matériel de siliciure en métal, et d'une nitrure en métal matérielle recouvrant le matériel granuleux hémisphérique conducteur et le matériel de siliciure en métal. La structure de condensateur de semi-conducteur est fabriquée en formant une base de matériel de siliciure en métal le long des parois latérales d'un matériel insulative ayant une ouverture là-dedans, formant des parois latérales de matériel granuleux hémisphérique conducteur sur le matériel de siliciure en métal, et formant une nitrure en métal matérielle recouvrant le matériel granuleux hémisphérique conducteur et le matériel de siliciure en métal.
