A semiconductor device of the present invention is provided with a power
device which has a semiconductor substrate having a first main surface and
a second main surface that are opposed to each other and an insulating
gate structure on the first main surface side, wherein a main current
flows between the first main surface and the second main surface, that is
to say, is provided with an insulating gate type MOS transistor structure
wherein the thickness (t.sub.1) of the semiconductor substrate is no less
than 50 .mu.m and no greater than 250 .mu.m and a low ON voltage and a
high withstanding capacity against breakdown are implemented in the first
main surface. Thereby, a low ON voltage, the maintaining of the
withstanding capacity against breakdown and the reduction of a switching
loss on the high voltage side can be implemented.
Een halfgeleiderapparaat van de onderhavige uitvinding wordt voorzien van een machtsapparaat dat een halfgeleidersubstraat heeft dat een eerste hoofdoppervlakte heeft en een tweede hoofdoppervlakte die aan elkaar en een isolerende poortstructuur aan de eerste belangrijkste oppervlaktekant tegengesteld is, waarin de hoofd huidige stromen tussen de eerste belangrijkste oppervlakte en de tweede belangrijkste oppervlakte, d.w.z., van een isolerende poorttype MOS transistorstructuur wordt voorzien waarin de dikte (t.sub.1) van het halfgeleidersubstraat geen minder dan mu.m 50 en neen groot is dan mu.m 250 en laag OP voltage en een hoogte die capaciteit weerstaat tegen analyse in de eerste belangrijkste oppervlakte wordt uitgevoerd. Daardoor, kan laag OP voltage, het handhaven van de weerstaande capaciteit tegen analyse en de vermindering van een omschakelingsverlies aan de hoog voltagekant worden uitgevoerd.
