A pinned photodiode for a CMOS image sensor and fabricating method thereof
is disclosed. The disclosed pinned photodiode can reduce a probability of
recombination of excess electrons by forming a second potential well
having a center-cross form across a photodiode area. The disclosed pinned
photodiode-fabricating method comprises forming a photodiode on a
substrate, forming a first potential well between the substrate and the
photodiode, and forming a second potential well having a center-cross form
across said photodiode, which is positioned more deeply than said first
potential well.
Un fotodiodo fijado para un sensor de la imagen del Cmos y un método que fabrica de eso se divulga. El fotodiodo fijado divulgado puede reducir una probabilidad de la recombinación de exceso de electrones formando un segundo pozo potencial que tiene una forma de la centro-cruz a través de un área del fotodiodo. El método fotodiodo-que fabrica fijado divulgado abarca la formación de un fotodiodo en un substrato, la formación de un primer potencial bien entre el substrato y el fotodiodo, y la formación de un segundo pozo potencial que tiene una forma de la centro-cruz a través del fotodiodo dicho, se coloca que más profundamente que el primer pozo potencial dicho.
