A structure and method are disclosed for forming a capacitor for an
integrated circuit. The capacitor includes a rhodium-rich structure, a
rhodium oxide layer in direct contact with the rhodium-rich structure, a
capacitor dielectric in direct contact with the rhodium oxide layer and a
top electrode over the capacitor. The rhodium-rich structure can include
rhodium alloys and the capacitor dielectric preferably has a high
dielectric constant.
Структура и метод показаны для формировать конденсатор для интегрированной цепи. Конденсатор вклюает роди-bogatuh структуру, слой окиси родия в непосредственныйа контакт с роди-bogato1 структурой, диэлектрик конденсатора в непосредственныйа контакт с слоем окиси родия и верхний электрод над конденсатором. Роди-bogata4 структура может включить сплавы родия и диэлектрик конденсатора предпочтительн имеет высокую диэлектрическую константу.
