A silicon on insulator (SOI) semiconductor device includes a wire connected
to doped regions formed in an active layer of a SOI substrate. A ratio of
the area of the wire to the doped region or a ratio of the area of contact
holes formed on the wire to the doped region is limited to a predetermined
value. When the ratio exceeds the predetermined value, a dummy doped
region is added to prevent the device from being damaged during a plasma
process.
Un silicio en el dispositivo de semiconductor del aislador (SOI) incluye un alambre conectado con las regiones dopadas formadas en una capa activa de un substrato de SOI. Un cociente del área del alambre a la región dopada o un cociente del área de los agujeros del contacto formados en el alambre a la región dopada se limita a un valor predeterminado. Cuando el cociente excede el valor predeterminado, una región dopada simulada se agrega para evitar que el dispositivo sea dañado durante un proceso del plasma.
