A ferroelectric memory cell formed on a monocrystalline silicon underlayer,
either an epitaxial silicon contact plug to a transistor source or drain
or silicon gate region for which the memory cell forms a non-volatile
gate. A conductive barrier layer of vanadium or niobium substituted
strontium titanate is epitaxially grown over the silicon, and a lower
metal oxide electrode layer, a ferroelectric layer and an upper metal
oxide electrode layer are epitaxially grown on the barrier layer. No
platinum barrier is needed beneath the ferroelectric stack. The invention
can be applied to many other functional oxide devices including
micromachined electromechanical (MEM) devices and ferromagnetic tri-layer
devices.
Uma pilha de memória ferroelectric deu forma em um underlayer monocrystalline do silicone, um plugue epitaxial do contato do silicone a uma região da fonte do transistor ou de porta do dreno ou do silicone para que a pilha de memória dá forma a uma porta permanente. Uma camada de barreira condutora de vanadium ou de titanate substituído niobium do strontium é crescida epitaxially sobre o silicone, e uma camada mais baixa do elétrodo do óxido de metal, uma camada ferroelectric e uma camada superior do elétrodo do óxido de metal são crescidas epitaxially na camada de barreira. Nenhuma barreira da platina é needed abaixo da pilha ferroelectric. A invenção pode ser aplicada a muitos outros dispositivos funcionais do óxido including micromachined os dispositivos (MEM) eletromecânicos e dispositivos ferromagnetic da tri-camada.
