Embodiments of the invention include a method comprising disposing a thin
metallic layer having a low melting temperature between one end of a
conductive post on a substrate and a conducting structure on an opposing
substrate. Heated platens in contact with the substrates can apply
pressure and heat to the thin metallic layer and cause it to be entirely
consumed and subsequently transformed into a bonding layer having a
melting temperature higher than the melting temperature of the original
thin metallic layer. Prior to, during, or after the conductive post is
bonded to the conducting structure, the region around the conductive post
and between the substrates may be filled with a dielectric material, such
as polyimide.
Verkörperungen der Erfindung schließen eine Methode ein, die eine dünne metallische Schicht abschaffend enthält, die, eine niedrige schmelzende Temperatur zwischen einem Ende eines leitenden Pfostens auf einem Substrat und einer Leitstruktur auf einem entgegensetzenden Substrat hat. Geheizte Vorlagengläser in Verbindung mit den Substraten können Druck und Hitze an der dünnen metallischen Schicht anwenden und sie veranlassen, in eine Abbindenschicht völlig verbraucht zu werden und nachher stark umgewandelt zu werden, die eine schmelzende Temperatur als die schmelzende Temperatur der ursprünglichen dünnen metallischen Schicht hat. Vor, während oder, nachdem der leitende Pfosten zur Leitstruktur abgebunden ist, kann die Region um den leitenden Pfosten und zwischen den Substraten mit einem dielektrischen Material, wie polyimide gefüllt werden.
