An interlayer insulating film is formed on a semiconductor substrate on
which a transistor has been formed, and an adhesion layer made from a
metal oxide not oriented is formed on the interlayer insulating film. A
capacitor composed of a lower electrode, a capacitor dielectric film made
from a high dielectric constant material or a ferroelectric material and
an upper electrode successively formed in this order above the
semiconductor substrate is provided on the adhesion layer. A conducting
plug for electrically connecting the transistor and the capacitor to each
other is provided in the interlayer insulating film and the adhesion
layer.
Una pellicola isolante dello strato intermedio è formata su un substrato a semiconduttore su cui un transistore è stato formato e uno strato di adesione fatto da un ossido di metallo non orientato è formato sulla pellicola isolante dello strato intermedio. Un condensatore composto di elettrodo più basso, una pellicola dielettrica del condensatore fatti da un alto materiale di costante dielettrico o un materiale ferroelectric e un elettrodo superiore successivamente formato in questo ordine sopra il substrato a semiconduttore è fornito sullo strato di adesione. Una spina di condotta per elettricamente il collegamento il transistore e del condensatore è fornita l'un l'altro nella pellicola isolante dello strato intermedio e nello strato di adesione.
