The phase-change nonvolatile memory array is formed by a plurality of
memory cells extending in a first and in a second direction orthogonal to
each other. A plurality of column-selection lines extend parallel to the
first direction. A plurality of word-selection lines extend parallel to
the second direction. Each memory cell includes a PCM storage element and
a selection transistor. A first terminal of the selection transistor is
connected to a first terminal of the PCM storage element, and the control
terminal of the selection transistor is connected to a respective
word-selection line. A second terminal of the PCM storage element is
connected to a respective column-selection line, and a second terminal of
the selection transistor is connected to a reference-potential region
while reading and programming the memory cells.
Fase-cambie el arsenal de memoria permanente es formado por una pluralidad de células de memoria que extienden en primeras y en una segunda dirección orthogonal el uno al otro. Una pluralidad de líneas de la columna-seleccio'n amplía paralelo a la primera dirección. Una pluralidad de líneas de la palabra-seleccio'n amplía paralelo a la segunda dirección. Cada célula de memoria incluye un elemento del almacenaje del PCM y un transistor de la selección. Un primer terminal del transistor de la selección está conectado con un primer terminal del elemento del almacenaje del PCM, y el terminal del control del transistor de la selección está conectado con una línea respectiva de la palabra-seleccio'n. Un segundo terminal del elemento del almacenaje del PCM está conectado con una línea respectiva de la columna-seleccio'n, y un segundo terminal del transistor de la selección está conectado con una región del referencia-potencial mientras que lee y programa las células de memoria.
