An active matrix display device employing a top gate type TFT structure has
a storage capacitor Csc and a liquid crystal capacitor Clc in each pixel
of a pixel section, a first electrode of the storage capacitor Csc served
by a p-Si active layer of the TFT, and a second electrode formed to at
least partly overlap the active layer, with an insulating layer between
the active layer and the second electrode below it. When a driver section
is to be built in, the driver section TFT is the same top gate type as the
pixel section TFT, and an active layer is made of the same material as the
active layer and has a conductive layer which is made of the same material
as the second electrode with the insulating layer held between the active
layer and the conductive layer below it. The pixel section can form the
storage capacitor while preventing lowering of the aperture ratio. Because
conditions for the polycrystalization annealing of the active layer are
equal for the pixel section TFT and the driver section TFT, TFTs with the
same properties can be obtained.
Um dispositivo de exposição ativo da matriz que emprega um tipo superior estrutura da porta de TFT tem um capacitor Csc do armazenamento e um capacitor de cristal líquido Clc em cada pixel de uma seção do pixel, de um primeiro elétrodo do capacitor Csc do armazenamento servido por uma camada ativa da libra por polegada quadrada do TFT, e de um segundo elétrodo dado forma para sobrepôr ao menos em parte a camada ativa, com uma camada isolando entre a camada ativa e o segundo elétrodo abaixo dele. Quando uma seção do excitador deve ser construída dentro, a seção TFT do excitador é o mesmo tipo superior da porta que a seção TFT do pixel, e uma camada ativa é feita do mesmo material que a camada ativa e tem uma camada condutora que seja feita do mesmo material que o segundo elétrodo com a camada isolando prendida entre a camada ativa e a camada condutora abaixo dela. A seção do pixel pode dar forma ao capacitor do armazenamento ao impedir abaixar da relação da abertura. Porque as condições para o recozimento do polycrystalization da camada ativa são iguais para a seção TFT do pixel e a seção TFT do excitador, TFTs com as mesmas propriedades pode ser obtido.
