A peeling layer 2 is formed on an element-forming substrate 1, an
element-forming layer 3 including an electrical element is formed on the
peeling layer, the element-forming layer is joined by means of a
dissolvable bonding layer 4 to a temporary transfer substrate 5, the
bonding force of the peeling layer is weakened to peel the element-forming
layer from the element-forming substrate, the layer is moved to the
temporary transfer substrate 5 side, a curable resin 6 is applied onto the
element-forming layer 3 which has been moved onto the temporary transfer
substrate 5, the resin is cured to form a transfer substrate 6, and the
bonding layer 4 is dissolved to peel the temporary transfer substrate 5
from the transfer substrate 6, resulting in a structure in which a
transfer substrate is formed directly on the element-forming layer 3. The
separation and transfer technique can be used to form a substrate with
better flexibility and impact resistance directly on a semiconductor
element, without an adhesive layer on the semiconductor device that is
produced.
Uno strato di sbucciatura 2 è formato su un substrato elemento-formante 1, uno strato elemento-formante 3 compreso un elemento elettrico è formato sullo strato di sbucciatura, lo strato elemento-formante si unisce per mezzo di uno strato solubile 4 di bonding ad un substrato provvisorio 5 di trasferimento, la forza di bonding dello strato di sbucciatura è indebolita per sbucciare lo strato elemento-formante dal substrato elemento-formante, lo strato è spostato verso il lato provvisorio del substrato 5 di trasferimento, una resina curabile 6 è applicata sullo strato elemento-formante 3 che è stato passato al substrato provvisorio 5 di trasferimento, la resina si cura per formare un substrato 6 di trasferimento e lo strato 4 di bonding è dissolto per sbucciarsi il substrato provvisorio 5 di trasferimento dal substrato 6 di trasferimento, con conseguente struttura in cui un substrato di trasferimento è formato direttamente sullo strato elemento-formante 3. La tecnica di trasferimento e di separazione può essere usata per formare un substrato con resistenza all'urto migliore e di flessibilità direttamente su un elemento a semiconduttore, senza uno strato adesivo sul dispositivo a semiconduttore che è prodotto.
