Thin film semiconductor device and manufacturing method thereof

   
   

Substrates suitable to manufacture and products of a thin film semiconductor device are provide, by at first preparing a manufacturing substrate having a characteristic of being capable of enduring a process for forming a thin film transistor and a product substrate having a characteristic of being suitable to direct mounting of the thin film transistor in a preparatory step, then applying a bonding step to bond the manufacturing substrate to the product substrate for supporting the product substrate at the back, successively applying a formation step to form at least a thin film transistor to the surface of the product substrate in a state reinforced with the manufacturing substrate and, finally, applying a separation step to separate the manufacturing substrate after use from the product substrate.

Τα υποστρώματα κατάλληλα να κατασκευάσουν και τα προϊόντα μιας συσκευής ημιαγωγών λεπτών ταινιών είναι παρέχουν, κοντά πρώτα να προετοιμάσουν ένα υπόστρωμα κατασκευής που έχει ένα χαρακτηριστικό της ύπαρξης σε θέση μια διαδικασία για μια κρυσταλλολυχνία λεπτών ταινιών και ένα υπόστρωμα προϊόντων που έχουν ένα χαρακτηριστικό της ύπαρξης κατάλληλα να κατευθύνουν το μοντάρισμα της κρυσταλλολυχνίας λεπτών ταινιών σε ένα προπαρασκευαστικό βήμα, κατόπιν εφαρμόζοντας ένα συνδέοντας βήμα για να συνδέσουν το υπόστρωμα κατασκευής με το υπόστρωμα προϊόντων για την υποστήριξη του υποστρώματος προϊόντων στην πλάτη, εφαρμόζοντας διαδοχικά ένα βήμα σχηματισμού για να διαμορφώσουν τουλάχιστον μια κρυσταλλολυχνία λεπτών ταινιών στην επιφάνεια του υποστρώματος προϊόντων σε ένα κράτος που ενισχύεται με το υπόστρωμα κατασκευής και, τελικά, εφαρμογή ενός βήματος χωρισμού βηδε, ψυ ατ φηρστ πρεπαρηνγ α μανuφαθτuρηνγ σuψστρατε χαβηνγ α θχαραθτερηστηθ οφ ψεηνγ θαπαψλε οφ ενδuρηνγ α προθεσς φορ φορμηνγ α τχην φηλμ τρανσηστορ ανδ α προδuθτ σuψστρατε χαβηνγ α θχαραθτερηστηθ οφ ψεηνγ σuηταψλε το δηρεθτ μοuντηνγ οφ τχε τχην φηλμ τρανσηστορ ην α πρεπαρατορυ στεπ, τχεν αππλυηνγ α ψονδηνγ στεπ το ψονδ τχε μανuφαθτuρηνγ σuψστρατε το τχε προδuθτ σuψστρατε φορ σuππορτηνγ τχε προδuθτ σuψστρατε ατ τχε ψαθκ, σuθθεσσηβελυ αππλυηνγ α φορματηον στεπ το φορμ ατ λεαστ α τχην φηλμ τρανσηστορ το τχε σuρφαθε οφ τχε προδuθτ σuψστρατε ην α στατε ρεηνφορθεδ ωητχ τχε μανuφαθτuρηνγ σuψστρατε ανδ, φηναλλυ, αππλυηνγ α σεπαρατηον στεπ το σεπαρατε τχε μανuφαθτuρηνγ σuψστρατε μετά από τη χρήση από το υπόστρωμα προϊόντων.

 
Web www.patentalert.com

< Method for transferring element, method for producing element, integrated circuit, circuit board, electro-optical device, IC card, and electronic appliance

< Passivation of porous semiconductors

> Bottom gate-type thin-film transistor and method for manufacturing the same

> Method of manufacturing semiconductor devices

~ 00143