Subjected to obtain a crystalline TFT which simultaneously prevents
increase of OFF current and deterioration of ON current. A gate electrode
of a crystalline TFT is comprised of a first gate electrode and a second
gate electrode formed in contact with the first gate electrode and a gate
insulating film. LDD region is formed by using the first gate electrode as
a mask, and a source region and a drain region are formed by using the
second gate electrode as a mask. By removing a portion of the second gate
electrode, a structure in which a region where LDD region and the second
gate electrode overlap with a gate insulating film interposed
therebetween, and a region where LDD region and the second gate electrode
do not overlap, is obtained.
Soumis pour obtenir un TFT cristallin qui empêche simultanément l'augmentation de OUTRE du courant et la détérioration de SUR le courant. Une électrode de porte d'un TFT cristallin est composée d'une première électrode de porte et d'une deuxième électrode de porte formées en contact avec la première électrode de porte et un film isolant de porte. La région de LDD est constituée en utilisant la première électrode de porte comme masque, et une région de source et une région de drain sont constituées en utilisant la deuxième électrode de porte comme masque. En enlevant une partie de la deuxième électrode de porte, une structure en laquelle une région où la région de LDD et le deuxième chevauchement d'électrode de porte avec un film isolant de porte interposé therebetween, et région où la région de LDD et la deuxième électrode de porte ne recouvrent pas, est obtenue.
