In a bottom gate-type thin-film transistor manufacturing method, after ion
doping, an ion stopper is removed. The ion stopper does not remain in the
interlayer insulating film lying immediately above the gate electrode. The
thin-film transistor has such a structure that no ion stopper, and the
interlayer insulating layer is in direct contact with at least the channel
region of the semiconductor layer. The impurity concentration in the
vicinity of the interface between the interlayer insulating film and the
semiconductor layer 4 is 10.sup.18 atoms/cc or less. This structure can
prevent the back channel phenomenon and reduce variations in
characteristic resulting from variations in manufacturing.
In einer unteren Gatter-Art Dünnfilmtransistorproduktionsmethode, nach dem lackierenden Ion, wird ein Ionenstopper entfernt. Der Ionenstopper bleibt nicht im isolierenden Film der Zwischenlage, der sofort über der Gate-Elektrode liegt. Der Dünnfilmtransistor hat solch eine Struktur, die kein Ionenstopper und die Isolierschicht der Zwischenlage im direkten Kontakt mit mindestens der Führung Region der Halbleiterschicht ist-. Die Störstellenkonzentation in der Nähe der Schnittstelle zwischen dem isolierenden Film und der Halbleiterschicht 4 der Zwischenlage ist 10.sup.18 atoms/cc oder kleiner. Diese Struktur kann das rückseitige Führung Phänomen verhindern und Schwankungen des charakteristischen Resultierens aus Schwankungen der Herstellung verringern.