This invention provides thermal-assisted nanotip magnetic memory storage
device. In a particular embodiment, a cross-point array of conductive rows
and columns is provided with tunnel junction magnetic memory cells
provided at the intersections between the rows and columns. Each cell
provides a magnetic data layer characterized by a material wherein the
coercivity is decreased upon an increase in temperature, an intermediate
layer, and a reference layer. At least one movable probe having a tip
characterized by a heat generator is also provided. The movable probe may
be placed proximate to a given memory cell so as to thermally influence a
given memory cell. The magnetic fields provided during a read operation
are not sufficient to alter the magnetic orientation of an unheated data
layer, but may alter the data layer of a memory cell warmed by heat
provided by the movable probe.
Этот вымысел обеспечивает термально-pomogat6 запоминающее устройство памяти nanotip магнитное. В определенном воплощении, блок cross-point проводных рядков и колонки обеспечены при ячейкы памяти соединения тоннеля магнитные обеспеченные на пересечениях между рядками и колонками. Каждая клетка обеспечивает магнитный слой данных, котор характеризует материал при котором коэрцитивность уменьшита на увеличении в температуре, промежуточном слое, и слое справки. По крайней мере один подвижной зонд имея конец быть охарактеризованным генератором жары также обеспечен. Подвижной зонд может быть помещенные proximate к, котор дали ячейкы памяти термально влиять на, котор дали ячейкы памяти. Магнитные поля обеспеченные во время прочитанной деятельности не достаточно для того чтобы изменить магнитную ориентацию unheated слоя данных, а могут изменить слой данных ячейкы памяти греемый жарой обеспеченной подвижным зондом.
