A single-poly EEPROM cell is disclosed with a vertically formed
metal-insulator-metal (MIM) coupling capacitor, which serves as a control
gate in place of a laterally buried control gate thereby eliminating the
problem of junction breakdown, and at the same time reducing the size of
the cell substantially. A method of forming the single-poly cell is also
disclosed. This is accomplished by forming a floating gate over a
substrate with an intervening tunnel oxide and then the MIM capacitor over
the floating gate with another intervening dielectric layer between the
top metal and the lower metal of the capacitor where the latter metal is
connected to the polysilicon floating gate.
Een enig-polycel EEPROM wordt onthuld met een verticaal gevormde metaal-isolatie-metaal (MIM) koppelingscondensator, die als controlepoort in plaats van een lateraal begraven controlepoort dient die daardoor het probleem van verbindingsanalyse elimineert, en tezelfdertijd de grootte van de cel wezenlijk vermindert. Een methode om de enig-polycel wordt te vormen ook onthuld. Dit wordt verwezenlijkt door een drijvende poort over een substraat met een het tussenbeide komen tunneloxyde en toen de MIM condensator over de drijvende poort met een andere tussenliggende diëlektrische laag tussen het hoogste metaal en het lagere metaal van de condensator te vormen waar het laatstgenoemde metaal met de polysilicon drijvende poort wordt verbonden.
