A semiconductor structure is provided having a III-V substrate, a buffer
layer over the substrate, such buffer layer having a compositional graded
quaternary lower portion and a compositional graded ternary upper portion.
In one embodiment, the lower portion of the buffer layer is compositional
graded AlGaInAs and the upper portion is compositional graded AlInAs.
Una struttura a semiconduttore è fornita avendo un substrato di III-V, uno strato sopra il substrato, tale strato dell'amplificatore dell'amplificatore che ha una parte più bassa quaternaria classificata composizionale e una parte superiore ternaria classificata composizionale. In un incorporamento, la parte più bassa dello strato dell'amplificatore è AlGaInAs classificato composizionale e la parte superiore è AlInAs classificato composizionale.
