An Al.sub.0.15 Ga.sub.0.85 N layer 2 is formed on a silicon substrate 1 in
a striped or grid pattern. A GaN layer 3 is formed in regions A where the
substrate 1 is exposed and in regions B which are defined above the layer
2. At this time, the GaN layer grows epitaxially and three-dimensionally
(not only in a vertical direction but also in a lateral direction) on the
Al.sub.0.15 Ga.sub.0.85 N layer 2. Since the GaN layer grows epitaxially
in the lateral direction as well, a GaN compound semiconductor having a
greatly reduced number of dislocations is obtained in lateral growth
regions (regions A where the substrate 1 is exposed).
Uma camada 2 de Al.sub.0.15 Ga.sub.0.85 N é dada forma em uma carcaça 1 do silicone em um teste padrão listrado ou de grade. Uma camada 3 de GaN é dada forma nas regiões A onde a carcaça 1 é exposta e nas regiões B que são definidas acima da camada 2. neste tempo, a camada de GaN cresce epitaxially e three-dimensionally (não somente em um sentido vertical mas também em um sentido lateral) na camada 2 de Al.sub.0.15 Ga.sub.0.85 N. Desde que a camada de GaN cresce epitaxially no sentido lateral também, um semicondutor composto de GaN que tem um número extremamente reduzido dos dislocations é obtido em regiões laterais do crescimento (as regiões A onde a carcaça 1 é exposta).
