An oxide layer on an indium phosphide semiconductor substrate is doped with
silicon. This enables epitaxial layers to be deposited upon the substrate
in a conventional manner, including mesa etching and overgrowth, to form a
semiconductor structure. The doped oxide layer is thought to reduce
diffusion of phosphorus out of the substrate and thus to reduce the zinc
levels in the active region of the structure. Additionally, or as an
alternative, after mesa etching oxide can be formed on the mesa sides and
then doped with silicon. Conventional blocking layers can then be formed
over the doped oxide, reducing the diffusion of zinc from the blocking
layers into the rest of the structure.
Слой окиси на субстрате полупроводника фосфида индия дан допинг с кремнием. Это позволяет эпитаксиальные слои быть депозированным на субстрате в светской манере, включая вытравливание мезы и перерост, для того чтобы сформировать структуру полупроводника. Подуманы, что уменьшает диффузию фосфора из субстрата и таким образом уменьшает данный допинг слой окиси уровни цинка в активно зоне структуры. Дополнительно, или как алтернатива, после того как окись вытравливания мезы можно сформировать на сторонах мезы и после этого дать допинг с кремнием. Обычные преграждая слои можно после этого сформировать над данной допинг окисью, уменьшая диффузию цинка от преграждать наслаивают в остальнои структуры.
