An SOI (Silicon On Insulator) substrate is provided with: a support
substrate (201); a single crystal silicon layer (202) disposed above one
surface of the support substrate; an insulation portion (205) disposed
between the support substrate and the single crystal silicon layer, the
insulation portion comprising a single layer of an insulation film or a
lamination structure of a plurality of insulation films, and including a
silicon nitride film or a silicon nitride oxide film (204).
Un substrato de SOI (silicio en aislador) se proporciona: un substrato de la ayuda (201); una capa del silicio del solo cristal (202) dispuso sobre una superficie del substrato de la ayuda; una porción del aislamiento (205) dispuso entre el substrato y la capa del silicio del solo cristal, la porción de la ayuda del aislamiento que abarcaba una sola capa de una película del aislamiento o de una estructura de la laminación de una pluralidad de películas del aislamiento, e incluyendo una película o una película del óxido del nitruro de silicio (204) del nitruro de silicio.
