A film bulk acoustic resonator is formed on a substrate having a major
surface. The film bulk acoustic resonator includes an elongated stack. The
elongated stack includes a layer of piezoelectric material positioned
between a first conductive layer deposited on a first surface of the layer
of piezoelectric material, and a second conductive layer deposited on a
second surface of the layer of piezoelectric material. The elongated stack
is positioned substantially perpendicular with respect to the major
surface of the substrate. The first and second conductive layers are
placed on the layer of piezoelectric material substantially simultaneously
and in one processing step. The major surface of the substrate is in a
horizontal plane and the stack of the film bulk acoustic resonator is in a
substantially vertical plane. The resonator structure formed may be used
either as a resonator or a filter.
Een film bulk akoestische resonator wordt op een substraat gevormd dat een belangrijke oppervlakte heeft. De film bulk akoestische resonator omvat een verlengde stapel. De verlengde stapel omvat een laag van piezoelectric materiaal dat tussen een eerste geleidende laag wordt geplaatst die op een eerste oppervlakte van de laag van piezoelectric materiaal wordt gedeponeerd, en een tweede geleidende laag die op een tweede oppervlakte van de laag van piezoelectric materiaal wordt gedeponeerd. De verlengde stapel wordt geplaatst wezenlijk loodrecht met betrekking tot de belangrijkste oppervlakte van het substraat. De eerste en tweede geleidende lagen worden geplaatst op de laag van piezoelectric materiaal wezenlijk gelijktijdig en in één verwerkingsstap. De belangrijkste oppervlakte van het substraat is in een horizontaal vliegtuig en de stapel van de film bulk akoestische resonator is in een wezenlijk vertikaal vlak. De gevormde resonatorstructuur kan of als resonator of filter worden gebruikt.
