A sputtered silicon layer and a low temperature fabrication method thereof,
is introduced. The sputtered silicon layer is sputtered with predetermined
sputtering criteria resulting in a predetermined pre-annealing
configuration. The sputtering criteria include sputtering power, ambient
sputtering pressure, choice of sacrificial layer and etchant. The
initially sputtered layer is transformed during a low temperature
annealing process into a post-annealing state. A released structure is
micro-machined from the sputtered layer in its post-annealed state. The
low temperature annealing leaves pre-fabricated integrated
aluminum-metalized circuitry unaffected. Optional conductive sputtered
co-layers reduce resistivity and may be used to further tune strain and
strain gradient.
Une couche pulvérisée de silicium et une méthode de fabrication de basse température en, est présentée. La couche pulvérisée de silicium est pulvérisée avec des critères prédéterminés de pulvérisation ayant pour résultat une configuration prédéterminée de pré-recuit. Les critères de pulvérisation incluent la puissance de pulvérisation, la pression ambiante de pulvérisation, le choix d'une couche sacrificatoire et etchant. La couche au commencement pulvérisée est transformée pendant un procédé de recuit de basse température en état de poteau-recuit. Une structure libérée micro-est usinée de la couche pulvérisée dans son état poteau-recuit. Les feuilles de recuit de basse température ont préfabriqué les circuits aluminium-métallisés intégrés inchangés. Les Co-couches pulvérisées conductrices facultatives réduisent la résistivité et peuvent être employées pour accorder plus loin la contrainte et le gradient de contrainte.
