Pixellated devices such as active matrix liquid crystal displays

   
   

A method of forming an active plate for a liquid crystal display is disclosed in which the source and drain conductors (28, 30), pixel electrodes (38) and column conductors (32) are formed by depositing and patterning a transparent conductor layer. There is selective plating of areas (52; 60) of the transparent conductor layer to form a metallic layer for reducing the resistivity of the transparent conductor layer. The plated areas include the column conductors (32) but exclude the source and drain conductors and the pixel electrodes. This enables the column conductors to be treated to reduce the resistivity, but without altering the channel length of the transistor because the source and drain parts of the layer are shielded from the plating process.

Een methode om een actieve plaat voor een vloeibare kristalvertoning te vormen wordt onthuld waarin de bron en afvoerkanaalleiders (28, 30), pixelelektroden (38) en kolomleiders (32) worden gevormd door een transparante leiderlaag te deponeren en te vormen. Er is selectief plateren van gebieden (52;,60) van de transparante leiderlaag om een metaallaag te vormen voor het verminderen van het weerstandsvermogen van de transparante leiderlaag. De geplateerde gebieden omvatten kolomleiders (32) maar sluiten de bron uit en voeren leiders en de pixelelektroden af. Dit laat dat de kolomleiders toe worden behandeld om het weerstandsvermogen, maar te verminderen zonder de kanaallengte van de transistor te veranderen omdat de bron en afvoerkanaaldelen van de laag van het platerenproces worden beschermd.

 
Web www.patentalert.com

< Substrate selector

< Sputtered silicon for microstructures and microcavities

> Optical integrated circuit

> Dynamic random access memory (DRAM) circuitry

~ 00145