Dynamic random access memory (DRAM) circuitry

   
   

Capacitors, DRAM circuitry, and methods of forming the same are described. In one embodiment, a capacitor comprises a first container which is joined with a substrate node location and has an opening defining a first interior area. A second container is joined with the node location and has an opening defining a second interior area. The areas are spaced apart from one another in a non-overlapping relationship. A dielectric layer and a conductive capacitor electrode layer are disposed operably proximate the first and second containers. In another embodiment, the first and second containers are generally elongate and extend away from the node location along respective first and second central axes. The axes are different and spaced apart from one another. In yet another embodiment, a conductive layer of material is disposed over and in electrical communication with a substrate node location. The layer of material has an outer surface with a first region and a second region spaced apart from the first region. A first container is formed over and in electrical communication with the first region and a second container is formed over and in electrical communication with the second region. In yet another embodiment, the first and second containers define container volumes which are discrete and separated from one another.

Описаны конденсаторы, сети DRAM, и методы формировать эти же. В одном воплощении, конденсатор состоит из первого контейнера который соединен с положением узла субстрата и имеет отверстие определить первую нутряную область. Второй контейнер соединен с положением узла и имеет отверстие определить вторую нутряную область. Области размечены отдельно от одного другое в non-overlapping отношении. Диэлектрический слой и проводной слой электрода конденсатора размещанные operably proximate первые и вторые контейнеры. В другом воплощении, первые и вторые контейнеры вообще elongate и удлиняют прочь от положения узла вдоль соответственно первого и во-вторых центральных осей. Оси по-разному и размечены отдельно от одного другое. В yet another воплощении, проводной слой материала размещан над и в электрическим сообщением с положением узла субстрата. Слой материала имеет наружную поверхность при первая зона и вторая зона размеченные отдельно от первой зоны. Первый контейнер сформирован над и в электрическом сообщении с первой зоной и вторым контейнером формирует над и в электрическим сообщением с второй зоной. В yet another воплощении, первые и вторые контейнеры определяют тома контейнера которые дискретны и отделены от одного другое.

 
Web www.patentalert.com

< Pixellated devices such as active matrix liquid crystal displays

< Optical integrated circuit

> Solid-state imaging device and method for manufacturing same

> Tuning of a process control based upon layer dependencies

~ 00145