In a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device
involving the steps of: forming a first semiconductor layer; forming a
light-emitting layer of superlattice structure by laminating a barrier
layer being made of In.sub.Y1 Ga.sub.1-Y1 N (Y1.gtoreq.0) and a quantum
well layer being made of In.sub.Y2 Ga.sub.1-Y2 N (Y2>Y1 and Y2>0) on
the first semiconductor layer; and forming a second semiconductor layer on
the light-emitting layer, an uppermost barrier layer, which will become an
uppermost layer of the light-emitting layer, is made thicker than the
other barrier layers. Further, at the time of forming the second
semiconductor layer, an upper surface of such uppermost barrier layer is
caused to disappear so that the thickness of the uppermost barrier layer
becomes substantially equal to those of the other barrier layers.
In un metodo di produzione del dispositivo luminescente a semiconduttore che coinvolge i punti di: formare un primo strato a semiconduttore; formando uno strato luminescente della struttura di superlattice laminando uno strato di sbarramento che sono fatti di In.sub.Y1 Ga.sub.1-Y1 N (Y1.gtoreq.0) e uno strato del pozzo di quantum che è fatto di In.sub.Y2 Ga.sub.1-Y2 N (Y2 Y1 e Y2 0) sul primo strato a semiconduttore; e formando un secondo strato a semiconduttore sullo strato luminescente, uno strato di sbarramento il più elevato, che si transformi in in uno strato il più elevato dello strato luminescente, è reso più spesso degli altri strati di sbarramento. Più ulteriormente, ai tempi del formare il secondo strato a semiconduttore, una superficie superiore di tale strato di sbarramento più elevato è causata per sparire in modo che lo spessore dello strato di sbarramento più elevato diventi sostanzialmente uguale a quelli degli altri strati di sbarramento.
