The vertical diffusion of dopants from the gate and the bulk material into
the channel region, and the lateral diffusion of dopants from the source
and drain regions into the channel region resulting from thermal cycling
during the fabrication of a MOS transistor is minimized by forming the
source and drain regions in a layer of composite material that includes
silicon, germanium, and carbon.
La difusión vertical de dopants de la puerta y del material a granel en la región del canal, y la difusión lateral de dopants de la fuente y de las regiones del dren en la región del canal que resulta de completar un ciclo termal durante la fabricación de un transistor del MOS es reducida al mínimo formando fuente y las regiones del dren en una capa del material compuesto que incluye el silicio, el germanio, y el carbón.
