A vertical cavity surface emitting laser having a GaAs/Al(Ga)As DBR mirror
over an InP layer A first GaAs layer is MOCVD grown on an InP layer at a
growth temperature of between 400 and 450.degree. C. Then a second GaAs
layer is grown by MOCVD at a growth temperature of about 600.degree. C.
over the first GaAs layer. A GaAs/Al(Ga)As DBR mirror is then grown over
the second GaAs layer. Beneficially, an insulating layer is disposed
between the second GaAs layer and the GaAs/Al(Ga)As DBR mirror. The
insulating layer includes an opening that exposes the second GaAs layer.
Then the GaAs/Al(Ga)As DBR mirror is grown by lateral epitaxial
overgrowth. The lower DBR can be comprised of a material that provides an
acceptable lattice match with InP layers. A tunnel junction can be formed
over an InP active region.
Un laser que emite superficial de la cavidad vertical que tiene un espejo de GaAs/Al(Ga)As DBR sobre una capa de la capa A primera GaAs del INP es MOCVD crecido en una capa del INP en una temperatura del crecimiento entre de 400 y de 450.degree. C. Entonces una segunda capa del GaAs es crecida por MOCVD en una temperatura del crecimiento alrededor de 600.degree. C. sobre la primera capa del GaAs. Un espejo de GaAs/Al(Ga)As DBR entonces es excedente crecido la segunda capa del GaAs. Beneficioso, una capa de aislamiento se dispone entre la segunda capa del GaAs y el espejo de GaAs/Al(Ga)As DBR. La capa de aislamiento incluye una abertura que exponga la segunda capa del GaAs. Entonces el espejo de GaAs/Al(Ga)As DBR es crecido por crecimiento excesivo epitaxial lateral. El DBR más bajo se puede abarcar de un material que provea de un fósforo aceptable del enrejado capas del INP. Una ensambladura del túnel se puede formar sobre una región activa del INP.
