A semiconductor laser device comprises first current blocking layers formed
to define a stripe-shaped current injected region extending in the
direction in a front facet from which a laser light is emitted and a rear
facet opposing thereto are connected, and a second current blocking layer
formed to transverse the stripe-shaped current injected region in the
vicinity of the front facet. The first current blocking layers and the
second current blocking layer are made of the same layer.
Accordingly, a current blocking structure is provided in the vicinity of
the facet with the structure which is easily formed, causes no damage on
the semiconductor laser device, and minimizes the property degradation,
thereby a high facet COD level and high reliability in long-term
continuous operations can be achieved.
Eine Halbleiterlaser Vorrichtung enthält den ersten Strom, der die Schichten blockiert, die gebildet werden, um eine Streifen-geformte gegenwärtige eingespritzte Region zu definieren, die in der Richtung in eine vordere Facette verlängert, von der ein Laserlicht ausgestrahlt wird und eine hintere Facette, die dazu entgegensetzt, angeschlossen werden, und in eine zweite gegenwärtige blockierende Schicht, die auf Quer die Streifen-geformte gegenwärtige eingespritzte Region in der Nähe der vorderen Facette gebildet wird. Der erste Strom, der Schichten blockieren und die zweite gegenwärtige blockierende Schicht werden von der gleichen Schicht gebildet. Dementsprechend wird eine gegenwärtige blockierende Struktur in der Nähe der Facette mit der Struktur versehen, die leicht gebildet, keine Beschädigung auf der Halbleiterlaser Vorrichtung verursacht wird und die Eigenschaft Verminderung, dadurch ein hohes Facette KABELJAU-Niveau herabsetzt und hohe Zuverlässigkeit im langfristigen Dauerbetrieb erzielt werden kann.
