A thin film hydrogen getter and EMI shielding are provided for protecting
GaAs circuitry sealed in an hermetic package. The thin film getter
comprises a multilayer metal film that is deposited by vacuum evaporation
techniques onto a conductive metal, such as aluminum or copper, that
serves as the EMI shielding. The conductive layer is first formed on an
interior surface. The multilayer hydrogen getter film comprises (1) a
titanium film and (2) a palladium film that is deposited on the titanium
film. Both the titanium and the palladium are deposited during the same
coating process run, thereby preventing the titanium from being oxidized.
The palladium continues to prevent the titanium from being oxidized once
the getter is exposed to the atmosphere. However, hydrogen is easily able
to diffuse through the palladium into the titanium where it is chemically
bound up, since palladium is highly permeable to hydrogen.
Ein Dünnfilmwasserstoff Getter und DIE EMS Abschirmung werden für das Schützen des GaAs Schaltkreises zur Verfügung gestellt, der in einem hermetischen Paket versiegelt wird. Der Dünnfilm Getter enthält einen mehrschichtigen Metallfilm, der durch Vakuumverdampfungtechniken auf ein leitendes Metall, wie Aluminium oder Kupfer niedergelegt wird, die als die EMS Abschirmung dient. Die leitende Schicht wird zuerst auf einer Innenoberfläche gebildet. Der mehrschichtige Wasserstoff Getterfilm enthält (1) einen Titanfilm und (2) einen Palladiumfilm, der auf dem Titanfilm niedergelegt wird. das Titan und das Palladium während des gleichen beschichtenden Prozeßdurchlaufes niedergelegt, dadurch verhindert man, daß das Titan oxidiert wird. Das Palladium fährt fort, zu verhindern, daß das Titan oxidiert, sobald der Getter der Atmosphäre ausgesetzt wird. JedochIST Wasserstoff leicht in der Lage, durch das Palladium in das Titan zu diffundieren, in dem er chemisch zusammengebunden wird, da Palladium zum Wasserstoff in hohem Grade durchlässig ist.
