An integrated circuit and fabrication method includes a memory cell for a
dynamic random access memory (DRAM). Vertically oriented access
transistors are formed on semiconductor pillars on buried bit lines.
Buried first and second gates are provided for each access transistor on
opposing sides of the pillars. Buried word lines extend in trenches
orthogonal to the bit lines. The buried word lines interconnect ones of
the first and second gates. In one embodiment, unitary gates are
interposed and shared between adjacent pillars for gating the transistors
therein. In another embodiment, separate split gates are interposed
between and provided to the adjacent pillars for separately gating the
transistors therein. In one embodiment, the memory cell has a surface area
that is approximately 4 F.sup.2, where F is a minimum feature size.
Bulk-semiconductor and semiconductor-on-insulator (SOI) embodiments are
provided.
Un método del circuito integrado y de la fabricación incluye una célula de memoria para una memoria de acceso al azar dinámica (COPITA). Los transistores verticalmente orientados del acceso se forman en pilares del semiconductor en líneas enterradas del pedacito. Enterrado primero y las segundas puertas se proporcionan para cada transistor del acceso en los lados de oposición de los pilares. Las líneas enterradas de la palabra extienden en los fosos orthogonal a las líneas del pedacito. Las líneas enterradas de la palabra interconectan unas de las primeras y segundas puertas. En una encarnación, las puertas unitarias se interponen y se comparten entre los pilares adyacentes para bloquear los transistores en esto. En otra encarnación, las puertas partidas separadas se interponen en medio y con tal que a los pilares adyacentes para por separado bloquear los transistores en esto. En una encarnación, la célula de memoria tiene un área superficial que sea aproximadamente 4 F.sup.2, donde está un tamaño F mínimo de la característica. se proporcionan las encarnaciones del Bulto-semiconductor y del semiconductor-en-aislador (SOI).
