A semiconductor integrated circuit according to the invention includes a
wiring member formed on a main face of a semiconductor substrate, a fusing
member connected to the wiring member and having a predetermined
thickness, a barrier member for covering a bottom face and a side face of
the fusing member, a light absorbing member for covering at least a side
face portion of the barrier member for covering the fusing member, and an
insulating member for embedding the wiring member, the fusing member, the
barrier member and the light absorbing member. A complex permittivity of
the light absorbing member is provided with a real part smaller than that
of the fusing member in absolute value and an imaginary part larger than
that of the fusing member.
Um circuito integrado do semicondutor de acordo com a invenção inclui um membro da fiação dado forma em uma cara principal de uma carcaça do semicondutor, um membro de fusão conectado ao membro da fiação e a ter uma espessura predeterminada, um membro da barreira para cobrir uma cara inferior e uma cara lateral do membro de fusão, um membro absorvente claro para cobrir ao menos uma parcela lateral da cara do membro da barreira para cobrir o membro de fusão, e um membro isolando para encaixar o membro da fiação, o membro de fusão, o membro da barreira e o membro absorvente claro. Um permittivity complexo do membro absorvente claro é fornecido com uma parte real menor do que aquela do membro de fusão no valor absoluto e uma parte imaginária maior do que aquela do membro de fusão.
