A mask including a material, which has heat resistance and light
absorptivity, is selectively formed on a crystalline silicon film
containing a catalytic element. Next, by using the mask, phosphorus is
implanted into the silicon film and an implanted portion of the silicon
film is transformed into amorphous. Then the silicon film is heated by a
rapid thermal annealing (RTA) method, so that the temperature of the
portion covered with the mask becomes higher than other portions. As a
result, the catalytic element moves from the high temperature portion
covered with the mask to the lower temperature amorphous portion in which
phosphorus has been implanted and which has a large gettering capacity.
Thus, the concentration of the catalytic element in the portion covered
with the mask is lowered, and a semiconductor device is manufactured by
using the film.
Una mascherina compreso un materiale, che ha la resistenza termica ed assorbimento della luce, è formata selettivamente su una pellicola cristallina del silicone che contiene un elemento catalitico. Dopo, usando la mascherina, il fosforo è impiantato nella pellicola del silicone e una parte impiantata della pellicola del silicone è trasformata in amorfo. Allora la pellicola del silicone è riscaldata con un metodo termico veloce di ricottura (RTA), di modo che la temperatura della parte coperta di mascherina diventa più superiore ad altre parti. Come risultato, l'elemento catalitico si muove dall'alta parte di temperatura coperta di mascherina verso la parte amorfa di temperatura più insufficiente in cui il fosforo è stato impiantato ed in cui ha una grande capienza gettering. Quindi, la concentrazione dell'elemento catalitico nella parte coperta di mascherina è abbassata e un dispositivo a semiconduttore è prodotto usando la pellicola.
