A method for use in the fabrication of a gate electrode includes providing
a gate oxide layer and forming a titanium boride layer on the oxide layer.
An insulator cap layer is formed on the titanium boride layer and
thereafter, the gate electrode is formed from the titanium boride layer. A
barrier layer may be formed on the oxide layer prior to forming the
titanium boride layer with the gate electrode being formed from the
barrier layer and the titanium boride layer. Further, a polysilicon layer
may be formed on the gate oxide layer prior to forming the titanium boride
layer with the gate electrode being formed from the titanium boride layer
and the polysilicon layer. Yet further, a polysilicon layer may be formed
on the gate oxide layer and a barrier layer formed on the polysilicon
layer prior to forming the titanium boride layer. The gate electrode is
then formed from the polysilicon layer, the barrier layer, and the
titanium boride layer. Similar methods can further be used in the
formation of interconnects to connect contact regions. Gate electrode
structures and interconnect structures resulting from the methods are also
described. Further, in such methods and structures, the titanium boride
layer may be a titanium diboride layer or a titanium boride layer having
silicon incorporated therein.
Um método para o uso na fabricação de um elétrodo de porta inclui fornecer uma camada do óxido da porta e dar forma a uma camada titanium do boride na camada do óxido. Uma camada do tampão do isolador é dada forma na camada titanium do boride e depois disso, o elétrodo de porta é dado forma da camada titanium do boride. Uma camada de barreira pode ser dada forma na camada do óxido antes de dar forma à camada titanium do boride com o elétrodo de porta que está sendo dado forma da camada de barreira e da camada titanium do boride. Mais mais, uma camada do polysilicon pode ser dada forma na camada do óxido da porta antes de dar forma à camada titanium do boride com o elétrodo de porta que está sendo dado forma da camada titanium do boride e da camada do polysilicon. Contudo promova, uma camada do polysilicon pode ser dada forma na camada do óxido da porta e em uma camada de barreira dadas forma na camada do polysilicon antes de dar forma à camada titanium do boride. O elétrodo de porta é dado forma então da camada do polysilicon, da camada de barreira, e da camada titanium do boride. Os métodos similares podem mais mais ser usados na formação do interconectam para conectar regiões do contato. As estruturas do elétrodo de porta e as estruturas do interconnect que resultam dos métodos são descritas também. Mais mais, em tais métodos e estruturas, a camada titanium do boride pode ser uma camada titanium do diboride ou uma camada titanium do boride que tem o silicone incorporado nisso.
