A method of producing a wafer comprising conducting a baking treatment on a
sintered silicon carbide cut in the form of wafer. An embodiment in which
the temperature for the above-mentioned baking treatment is 1350.degree.
C. or more, embodiments in which the temperature for the above-mentioned
baking treatment is 1400 to 1550.degree. C. and the pressure for the
above-mentioned baking treatment is 10.sup.-4 Torr or less, and the like
are preferable. A wafer which can be produced by the above-mentioned
method of producing a water. Embodiments in which the above-mentioned
flexural strength measured by a flexural test method (JIS 1601) is 700 MPa
or more, the above-mentioned element composition ratio Si/C in all parts
is 0.48/0.52 to 0.52/0.48, and the above-mentioned density is 2.9
g/cm.sup.3 or more.
A high quality wafer improving thermal shock resistance and generating no
crack by thermal shock, and a method which can produce this wafer
efficiently are provided.
Eine Methode des Produzierens einer Oblate, die enthält, eine Backenbehandlung auf einem gesinterten Silikonkarbid leitend, schnitt in Form von Oblate. Eine Verkörperung, in der die Temperatur für die obenerwähnte Backenbehandlung 1350.degree ist. C. oder mehr, Verkörperungen, in denen die Temperatur für die obenerwähnte Backenbehandlung 1400 zu 1550.degree ist. C. und der Druck für die obenerwähnte Backenbehandlung ist Torr 10.sup.-4 oder kleiner, und dergleichen sind vorzuziehend. Eine Oblate, die durch die obenerwähnte Methode des Produzierens eines Wassers produziert werden kann. Verkörperungen, in denen die obenerwähnte flexural Stärke, die durch eine flexural Testmethode (JIS 1601) gemessen wird 700 MPa oder mehr ist, das obenerwähnte Elementaufbauverhältnis Si/C in allen Teilen ist 0.48/0.52 bis 0.52/0.48, und die obenerwähnte Dichte ist 2.9 g/cm.sup.3 oder mehr. Eine hohe Qualitätsoblate, die Wärmestoßwiderstand verbessern und keinen Sprung durch Wärmestoß erzeugen, und eine Methode, die diese Oblate leistungsfähig produzieren kann, werden zur Verfügung gestellt.