A bonded semiconductor-on-insulator substrate for an integrated circuit.
The bonded semiconductor-on-insulator substrate includes a wafer, a handle
wafer and an insulating bond layer. The wafer has a first layer of
monocrystalline semiconductor material adjacent a first surface of the
wafer. The wafer also has a second layer of undamaged by implantation
monocrystalline semiconductor material adjacent a second surface of the
wafer. The wafer further has a substantially planar intrinsic gettering
zone of substantially pure semiconductor material and active gettering
sites positioned between the first and second layers formed by implanting
ions of the semiconductor material through the first layer of
monocrystalline semiconductor material. The insulating bond layer bonds
the handle wafer to the first surface of the wafer.
Ένα συνδεμένο υπόστρωμα ημιαγωγός-$$$-ΜΟΝΩΤΏΝ για ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα. Το συνδεμένο υπόστρωμα ημιαγωγός-$$$-ΜΟΝΩΤΏΝ περιλαμβάνει μια γκοφρέτα, μια γκοφρέτα λαβών και ένα στρώμα δεσμών μόνωσης. Η γκοφρέτα έχει ένα πρώτο στρώμα του monocrystalline υλικού ημιαγωγών δίπλα σε μια πρώτη επιφάνεια της γκοφρέτας. Η γκοφρέτα έχει επίσης ένα δεύτερο στρώμα άθικτου από το monocrystalline υλικό ημιαγωγών εμφύτευσης δίπλα σε μια δεύτερη επιφάνεια της γκοφρέτας. Η γκοφρέτα περαιτέρω έχει μια ουσιαστικά επίπεδη εγγενή gettering ζώνη των ουσιαστικά καθαρών υλικών και ενεργών gettering ημιαγωγών περιοχών που τοποθετούνται μεταξύ των πρώτων και δεύτερων στρωμάτων που διαμορφώνονται με την εμφύτευση των ιόντων του υλικού ημιαγωγών μέσω του πρώτου στρώματος του monocrystalline υλικού ημιαγωγών. Το στρώμα δεσμών μόνωσης συνδέει την γκοφρέτα λαβών με την πρώτη επιφάνεια της γκοφρέτας.
