A structure and associated method for protecting an electrical structure
during a fuse link deletion by focused radiation. The structure comprises
a fuse element, a protection plate, a first dielectric layer, and a second
dielectric layer. The structure is formed within a semiconductor device.
The protection plate is formed within the first dielectric layer using a
damascene process. The second dielectric layer is formed over the
protection plate and the first dielectric layer. The fuse element is
formed over the second dielectric layer. The fuse element is adapted to be
cut with a laser beam. The dielectric constant of the second dielectric
layer is greater than the dielectric constant of the first dielectric
layer. The protection plate is adapted to shield the first dielectric
layer from energy from the laser beam.
Een structuur en een bijbehorende methode om een elektrostructuur tijdens een schrapping van de zekeringsverbinding door geconcentreerde straling te beschermen. De structuur bestaat uit een zekeringselement, uit een beschermingsplaat, uit een eerste diëlektrische laag, en uit een tweede diëlektrische laag. De structuur wordt gevormd binnen een halfgeleiderapparaat. De beschermingsplaat wordt gevormd binnen de eerste diëlektrische laag gebruikend een damasceneproces. De tweede diëlektrische laag wordt gevormd meer dan de beschermingsplaat en de eerste diëlektrische laag. Het zekeringselement wordt gevormd meer dan de tweede diëlektrische laag. Het zekeringselement wordt aangepast om met een laserstraal worden gesneden. De diëlektrische constante van de tweede diëlektrische laag is groter dan de diëlektrische constante van de eerste diëlektrische laag. De beschermingsplaat wordt aangepast om de eerste diëlektrische laag van energie van de laserstraal te beschermen.
