A capacitor in a semiconductor device and a method for fabricating the same
is disclosed. Disclosed the method for fabricating the capacitor in a
semiconductor device comprises the steps of: forming a lower electrode
made of doped silicon materials on a semiconductor substrate; depositing a
thin silicon nitride layer on the lower electrode; forming a silicon
oxynitride layer on the surface of the silicon nitride layer through
oxidation of the silicon nitride layer; depositing a dielectric layer on
the silicon oxynitride layer; and forming an upper electrode on the
dielectric layer. According to the method, after the deposition of the
silicon nitride layer on the dielectric layer, oxidation treatment of the
resultant structure is performed and the dielectric layer is formed on the
oxidized silicon nitride layer, thereby improving the interface
characteristics between the lower electrode and the dielectric layer and
resulting in a decrease of the leakage current and an increase of the
breakdown voltage of the capacitor in the semiconductor device.
Um capacitor em um dispositivo de semicondutor e em um método para fabricar o mesmo é divulgado. Divulgou o método para fabricar o capacitor em um dispositivo de semicondutor compreende as etapas de: dando forma a um elétrodo mais baixo feito de materiais doped do silicone em uma carcaça do semicondutor; depositando uma camada fina do nitride de silicone no elétrodo mais baixo; dando forma a uma camada do oxynitride do silicone na superfície da camada do nitride de silicone com a oxidação da camada do nitride de silicone; depositando uma camada dieléctrica na camada do oxynitride do silicone; e dando forma a um elétrodo superior na camada dieléctrica. De acordo com o método, após o deposition da camada do nitride de silicone na camada dieléctrica, o tratamento da oxidação da estrutura resultante é executado e a camada dieléctrica é dada forma na camada oxidada do nitride de silicone, melhorando desse modo as características da relação entre o elétrodo mais baixo e a camada dieléctrica e tendo por resultado uma diminuição do escapamento atual e de um aumento da tensão de avaria do capacitor no dispositivo de semicondutor.
