A module for optical communication intended for decreasing the consumption
power of a modulator integrated laser, in which a, multiple-quantum well
constituting a laser active layer region comprises InGaAlAs/InGaNAs to
keep the reliability and optical power level even when a chip is kept at a
high temperature, and the difference of wavelength between the oscillation
wavelength and the band gap wavelength of the modulator and the laser
should be made greater in proportion with the elevation of the chip
setting temperature for maintaining the transmission performance, by which
the temperature difference between the module case temperature and the
chip setting temperature is reduced to decrease the module consumption
power.
Um módulo para uma comunicação ótica pretendida diminuindo o poder do consumo de um modulador integrou o laser, em que a, poço de múltiplo-multiple-quantum que constitui uma região ativa da camada do laser compreende InGaAlAs/InGaNAs para manter a confiabilidade e o nível ótico do poder mesmo quando uma microplaqueta é mantida em uma alta temperatura, e a diferença do wavelength entre o wavelength da oscilação e o wavelength da abertura da faixa do modulador e o laser deve ser feita mais grande na proporção com a elevação da microplaqueta que ajusta a temperatura para manter o desempenho de transmissão, por que a diferença da temperatura entre a temperatura de caixa do módulo e a microplaqueta que ajustam a temperatura é reduzida à diminuição o poder do consumo do módulo.
