Embodied in a reflectance system capable of providing high resolution,
repeatable, efficient, and accurate reflectance measurements of a silicon
or silicon-oxide wafer at all wavelengths, the present invention,
including an inventive and useful software tool with user interface,
provides a solution to monitor non-destructively low dose ion implantation
without potentially suffering from undesirable annealing effect. The
computer-implemented method disclosed herein determines a reflectance
change index that correlates to the ion dose. The reflectance change index
is determined based on an absolute value of reflectance changes over the
entire measured spectra. The reflectance changes are determined based on
non-implanted and implanted reflectance measurements of the wafer
respectively obtained at each of the wavelengths.
Dargestellt in einem Reflexionsvermögen-System, das zum Versehen der hohen Auflösung fähig ist, stellt wiederholbare, leistungsfähige und genaue Reflexionsvermögen-Maße einer Silikon- oder Silikon-Oxidoblate an allen Wellenlängen, die anwesende Erfindung, einschließlich ein erfinderisches und nützliches Software-Werkzeug mit Benutzerschnittstelle, eine Lösung Dosis-Ionenimplantation des Monitors zur non-destructively niedrigen zur Verfügung, ohne unter nicht wünschenswertem Ausglüheneffekt möglicherweise zu leiden. Die Computer-eingeführte Methode, die hierin freigegeben wird, stellt einen Reflexionsvermögen-Änderung Index fest, der mit der Ionendosis aufeinander bezieht. Der Reflexionsvermögen-Änderung Index wird gründete auf einem Absolutwert der Reflexionsvermögen-Änderungen über den gesamten gemessenen Spektren festgestellt. Die Reflexionsvermögen-Änderungen werden gründeten auf den nicht eingepflanzten und eingepflanzten Reflexionsvermögen-Maßen der Oblate festgestellt, die beziehungsweise an jeder der Wellenlängen erhalten wird.
