A micro-machining process that includes etching a substrate having copper
overlying a dielectric layer to a charged particle beam in the presence of
an etch assisting agent. The etch assisting agent is selected from the
group consisting of ammonia, acetic acid, thiolacetic acid, and
combinations thereof.
Een micro-machinaal bewerkend proces dat het etsen van een substraat omvat dat koper heeft dat een diëlektrische laag bedekt aan een geladen deeltjesstraal in aanwezigheid van etst bijwonende agent. Ets bijwonende agent wordt geselecteerd uit de groep die uit ammoniak, azijnzuur, thiolacetic zuur, en combinaties daarvan bestaat.
