A semiconductor device such as a buried heterostructure semiconductor laser
includes a semiconductor substrate supporting an active region comprised
of a multiple quantum well active region and confinement layers having
defined gratings and grating overgrowth regions to produce a laser device.
The device also includes a current confinement layer including a sequence
of doped n-p-n-p semiconductor layers to produce a n-p-n-p blocking
structure and a semi-insulating semiconductor material deposited over the
n-p-n-p blocking structure.
Μια συσκευή ημιαγωγών όπως ένα θαμμένο λέιζερ ημιαγωγών ετεροδομής περιλαμβάνει ένα υπόστρωμα ημιαγωγών που υποστηρίζει μια ενεργό περιοχή που αποτελείται από τα στρώματα πολλαπλάσιων κβαντικών καλά ενεργών περιοχών και περιορισμού καθορίζοντας τα κιγκλιδώματα και που ξύνει overgrowth τις περιοχές για να παραγάγουν μια συσκευή λέιζερ. Η συσκευή περιλαμβάνει επίσης ένα τρέχον στρώμα περιορισμού συμπεριλαμβανομένης μιας ακολουθίας ναρκωμένων στρωμάτων ημιαγωγών ν-π για να παραγάγει μια εμποδίζοντας δομή ν-π και ένα ημιμονωτικό υλικό ημιαγωγών που κατατίθενται πέρα από την εμποδίζοντας δομή ν-π.
