An isolation trench formed in a semiconductor substrate has side walls and
a bottom wall. Spacers are on the side walls and face each other for
forming a narrow channel therebetween. The bottom wall and the spacers are
coated with an electrically insulating material for delimiting a closed
empty cavity in the channel. The isolation trench is applicable to the
manufacture of integrated circuits.
Ein Lokalisierung Graben bildete sich in einem Halbleitersubstrat hat seitliche Wände und eine Grundmauer. Distanzscheiben sind auf den seitlichen Wänden und stellen sich für die Formung einer schmalen Führung therebetween gegenüber. Die Grundmauer und die Distanzscheiben werden mit einem elektrisch isolierenden Material für das Abgrenzen eines geschlossenen leeren Raums in der Führung beschichtet. Der Lokalisierung Graben ist auf die Herstellung der integrierter Schaltungen anwendbar.
