The present invention provides a semiconductor device, a method of
manufacture therefor, and an integrated circuit including the same. In one
advantageous embodiment, the semiconductor device includes a doped layer
located over a semiconductor substrate, and an isolation trench located in
the doped layer and having a dielectric layer located on a sidewall
thereof. The semiconductor device may further include a conductive
material located within the isolation trench and an interconnect that
electrically connects the conductive material and the doped layer.
De onderhavige uitvinding verstrekt een halfgeleiderapparaat, een methode daarvoor van vervaardiging, en een geïntegreerde schakeling met inbegrip van het zelfde. In één voordelige belichaming, omvat het halfgeleiderapparaat een gesmeerde laag die over een halfgeleidersubstraat wordt gevestigd, en een gevestigde isolatiegeul in de gesmeerde laag en het hebben van een diëlektrische laag die op een zijwand daarvan wordt gevestigd. Het halfgeleiderapparaat kan een geleidend materiaal verder omvatten dat binnen de isolatiegeul en interconnect wordt gevestigd die elektrisch het geleidende materiaal en de gesmeerde laag verbindt.
