Physical vapor deposition processes provide optical materials with
controlled and uniform refractive index that meet the requirements for
active and passive planar optical devices. All processes use radio
frequency (RF) sputtering with a wide area target, larger in area than the
substrate on which material is deposited, and uniform plasma conditions
which provide uniform target erosion. In addition, a second RF frequency
can be applied to the sputtering target and RF power can be applied to the
substrate producing substrate bias. Multiple approaches for controlling
refractive index are provided. The present RF sputtering methods for
material deposition and refractive index control are combined with
processes commonly used in semiconductor fabrication to produce planar
optical devices such surface ridge devices, buried ridge devices and
buried trench devices. A method for forming composite wide area targets
from multiple tiles is also provided.
I processi fisici di deposito del vapore forniscono ai materiali ottici l'indice di rifrazione dell'uniforme e controllato che fanno fronte alle richieste dei dispositivi ottici planari attivi e passivi. Tutti i processi usano la frequenza radiofonica (rf) che polverizza con un obiettivo largo di zona, più grande nella zona che il substrato su cui il materiale è depositato e gli stati del plasma dell'uniforme che forniscono l'erosione dell'obiettivo dell'uniforme. In più, una seconda frequenza di rf può essere applicata all'obiettivo di polverizzazione e l'alimentazione di rf può essere applicata al substrato producendo la polarizzazione del substrato. I metodi multipli per il controllo dell'indice di rifrazione sono forniti. I metodi attuali di polverizzazione di rf per il deposito materiale ed il controllo di indice di rifrazione sono uniti con i processi usati comunemente nel montaggio a semiconduttore per produrre i dispositivi ottici planari tali dispositivi di superficie della cresta, dispositivi sepolti della cresta e dispositivi sepolti della trincea. Un metodo per formare gli obiettivi larghi compositi di zona dalle mattonelle multiple inoltre è fornito.
