In an active matrix drive light emitting device, above a thin film
transistor, a light emitting element having an anode, a layer comprised of
an organic compound and a cathode containing an alkali metal is formed
between a third insulating layer comprised of silicon nitride or silicon
oxynitride and a fourth insulating layer containing carbon as its main
constituent. The light emitting element is formed between partition layers
that are formed of an insulating material and have an inverse tapered
shape.
In einer aktiver Matrix-Antrieb hellen ausstrahlenden Vorrichtung über einem Dünnfilmtransistor, wird ein helles ausstrahlendes Element, das eine Anode haben, eine Schicht, die von einem organischen zusammengesetzten enthalten werden und eine Kathode, die ein Alkalimetall enthält, zwischen einer dritten Isolierschicht gebildet, die vom Silikonnitrid oder vom Silikon oxynitride enthalten werden und einer vierten Isolierschicht, die Carbon als sein Hauptbestandteil enthält. Das helle ausstrahlende Element wird zwischen Fachschichten gebildet, die von einem isolierenden Material gebildet und eine umgekehrte sich verjüngende Form haben werden.
