A first layer is formed on an underlying substrate having a surface layer
made of semiconductor of a first conductivity type. The first layer is
made of semiconductor having a resistance higher than that of the surface
layer. A first impurity diffusion region of a second conductivity type is
formed in a partial surface region of the first layer. The first impurity
diffusion region does not reach the surface of the underlying substrate. A
second impurity diffusion region of the first conductivity type is
disposed in the first layer and spaced apart from the first impurity
diffusion region. The second impurity diffusion region reaches the surface
of the underlying substrate. A separation region is disposed between the
first and second impurity diffusion regions. The separation region
comprises a trench formed in the first layer and dielectric material
disposed at least in a partial internal region of the trench.
Een eerste laag wordt op een onderliggend substraat gevormd dat een oppervlaktelaag heeft die van halfgeleider van een eerste geleidingsvermogentype wordt gemaakt. De eerste laag wordt gemaakt van halfgeleider hebbend een weerstand hoger dan dat van de oppervlaktelaag. Een eerste gebied van de onzuiverheidsverspreiding van een tweede geleidingsvermogentype wordt gevormd in een gedeeltelijk oppervlaktegebied van de eerste laag. Het eerste gebied van de onzuiverheidsverspreiding bereikt niet de oppervlakte van het onderliggende substraat. Een tweede gebied van de onzuiverheidsverspreiding van het eerste geleidingsvermogentype wordt geschikt in de eerste laag en behalve het eerste gebied van de onzuiverheidsverspreiding uit elkaar geplaatst. Het tweede gebied van de onzuiverheidsverspreiding bereikt de oppervlakte van het onderliggende substraat. Een scheidingsgebied wordt geschikt tussen de eerste en tweede gebieden van de onzuiverheidsverspreiding. Het scheidingsgebied bestaat uit een geul die in de eerste laag en het diëlektrische materiaal wordt gevormd dat op zijn minst in een gedeeltelijk intern gebied van de geul wordt geschikt.
